意法1,350V新系列IGBT电晶体提升耐受性/效能
意法半导体(ST)新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1,350V，最高作业温度达175°C，更高的额定值确保电晶体在所有运作条件下具有更大的设计余量、耐受性能和更长久的可靠性。
新推出之STPOWER IH2系列IGBT还提升了功率转换效能，相关参数出色，例如，低饱和导通电压Vce(sat)，确保元件在导通状态下耗散功率较小。而续流二极体的压降亦不高，能够优化关断电能损耗，让在16kHz至60kHz运作频率的单开关准谐振转换器具有更高的效能。
新IGBT具备良好的耐受性和效能，适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电锅等家电。在2kW应用中，意法半导体的新型IGBT元件还可将功耗降低11%。
此外，Vce(sat)具有正温度系数效应，元件之间紧密的参数分布有助於简化设计，可轻松并联多个IGBT二极体，满足高功率应用的需求。
该系列前期推出的两款元件25A STGWA25IH135DF2和35A STGWA35IH135DF2现已量产，其采用标准TO-247长引线功率封装。
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